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作者:存储时代(编译) 2007年9月18日
关键字: 4Gb faq 存储阵列 RamSan 500 RamSan-500 TMS SSD
RamSan-500基于4U设计,采用1TB或2TB的闪存作为主要存储,16GB到64GB的DDR内存作为缓存,这款产品的定位介于这两者之间。
RamSan-500外观
RamSan-500持续读取的IOPS将达到10万次,随机写入则为1万次,读写带宽为2GBps。TMS表示,该阵列的性能达到一些现有的高端盘阵的16倍,同时功耗只有50%,2TB版仅为250W。
RamSan-500的其他规格为,随机取读缓存未命中时周期小于200μs(闪存),缓存命中时小于15μs(DDR内存,包括读写),随机写入缓存未命中时周期小于2ms(闪存)。
RamSan-500闪存模块
该阵列可通过2到8个4Gbps FC接口连接到SAN中,预计到2008年第一季度还将支持4x InfiniBand。闪存部分,RamSan-500最多可以采用9块256GB的闪存盘组成RAID 5,闪存类型为SLC,DDR内存的作用为缓存I/O以及在后台为闪存的写入方式进行优化。
RamSan-500背面,可以看到4片光纤卡
目前SSD市场已经开始起飞,IDC调研总监Jeff Janukowicz表示,目前SSD行业的年营业额为7700万美元,预计到2011年将会达到12.26亿美元,年增长率达75%。
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