尔必达电荷捕获型4Gb NAND闪存研发成功

日本DRAM大厂尔必达走向闪存市场的步伐正在加快。尔必达今天宣布，他们已经同美国Spansion公司合作，开发出了全球首款电荷捕获型（Charge-trapping）4Gb容量SLC NAND闪存。该产品给予Spansion的MirrorBit电荷捕获技术，将成为全球首款面世的Charge-trapping闪存，在尔必达的广岛工厂进行制造。

目前市场上的NAND闪存皆为浮动栅极型，而电荷捕获型闪存有扩展性更强，存储单元结构简单易于升级制程等特点，并且读取速度比浮动栅极刑闪存快一倍，写入速度快15%。

此次研发成功的产品为4Gb容量SLC NAND闪存，驱动电压1.8V。尔必达计划将其同自己的Mobile RAM整合，以MCP混合封装的形式销售给移动设备客户。预计今年第四季度出货样品，明年一季度正式开始量产。下一步，尔必达还将研发2Gb、1GB容量型号。

合作另一方Spansion将在明年一季度出货电荷捕获型4Gb NAND样品，二季度实现量产。两家公司也都在开发3V驱动电压的电荷捕获型闪存。