2大DRAM制程技术遇瓶颈？拟先推80纳米制程

堆栈式与沟槽式2大DRAM制程技术到目前虽已顺利进入90纳米制程阶段，但为了能进一步降低生产成本，提高产出颗粒数量，且为了将产品推进到DDRIII世代，2大DRAM阵营无不卯足全力，加紧脚步将制程技术再推进至70纳米制程，不过，目前在进入70纳米制程前似乎均遇上瓶颈，因此纷纷打算在70纳米制程前，再安插80纳米制程最为过渡时期商品，为接下来70纳米制程先行暖身。

无论是堆栈式制程或沟槽式制程，大多花费近1～2年时间，才顺利将90纳米制程良率调整到最佳状态，不过这样的时间已较过去花费更多时间，目前全球各大DRAM厂如三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）、奇梦达（Qimonda）、美光（Micron）、尔必达（Elpida），再加上台系的力晶、南亚科、茂德、华亚科以及华邦电，几乎全数均采用90纳米制程量产，也因此使得各大DRAM厂近来的产出量得以增加，制造成本得以进一步减少，换来的便是营收及获利双赢情况。

但DRAM产业所要拼的便是产能大、制程领先、制造成本不断降低，因此对于挺进下世代70纳米制程技术同样是刻不容缓，为此2大制程技术集团均纷纷加紧速度，期待能够再更进一步进入70纳米制程，然而，这样的期待恐将还要再等上一阵子，原因在于进入70纳米制程，两大阵营均有些困难，先是沟槽式制程阵营于日前指出，有可能在进入70纳米制程前，先导入80纳米制程。

虽说沟槽式制程集团表示，还是会如期导入70纳米制程，但业内人士认为，会有这样的安排，应是在进入70纳米制程有困难，无独有偶地，在堆栈式阵营中，同样有DRAM厂传出将在进入70纳米程前，推出过渡性的80纳米制程。

据了解，堆栈式制程集团中有部份DRAM厂现已打算将现有的70纳米制程向后顺延，原因在于70纳米制程难度较高，先前三星在进入80纳米制程时，便已遭遇到相当程度困难，以至于三星被迫将80纳米制程技术导入量产的时间点向后顺延，连全球第一大DRAM厂都面临瓶颈，其余DRAM厂难保在进入70纳米制程时不会有如此瓶颈出现。