Intel技术高层谈未来闪存主流技术 不看好MRAM

来自电子工程专辑的消息，英特尔公司（Intel）技术和制造部副总裁Stefan Lai近日表示，EPROM隧道氧化物(ETOX)和NAND两种形式的闪存作为关键主流非易失性存储器仍然具有超过5年的生命力，但竞逐的焦点集中到寻找能够微缩到亚45纳米制造工艺的存储器技术上。

Lai最近在一个纳米技术论坛上发言称，相变存储器(phase-change memory)和铁电聚合物存储器器件(ferroelectric polymer memory)更有可能成为下一代非易失性存储器，而磁性和铁电RAM的机会可能较小。

但Lai也指出，所谓基于原子分辨率探针的寻找并扫描(seek-and-scan)存储器有望最终超越所有光刻定义的存储器，包括聚合物及相变式器件。

Lai是1982年加盟英特尔的，他参与发明了EPROM隧道氧化物(ETOX)闪存单元，几乎管理了英特尔公司每一代闪存的开发工作。他表示有希望获得65纳米和45纳米制造工艺技术的闪存。

他介绍道，英特尔目前正在开发第八代ETOX闪存，并成功地实现了每一代都能缩小50%单元尺寸的目标。但他也承认NOR类型的闪存无法在单元面积上与NAND相抗衡。

他转而提及新型的存储技术，包括英特尔存有兴趣的硫族(chalcogenide)材料相变存储器和聚合物铁电存储器。