多种技术争奇斗艳　2011年下一代内存市场达657亿美元

市调公司nanomarkets LC日前发表的报告指出，下一代非挥发性内存市场到2011年将达到657亿美元，其中包括MRAM、FRAM、全息内存(Holographic Memory)、相变内存(Ovonic Unified Memory)、分子内存(Molecular Memory)、纳米管RAM、MEMS内存和聚合体内存(Polymer Memory)等新型内存。

“DRAM、SRAM和闪存将继续存在数十年，”报告指出。“但在AMD、Cypress、Freescale、富士通(FUJITSU)、惠普(HP)、Honeywell、日立(HITACHI)、IBM、英飞凌(Infineon)、英特尔(Intel)、Matsushita、意法半导体(Stmicroelectronics)和德州仪器(Texas Instruments)等厂商的强力支持下，纳米存储似乎一定会从传统内存和磁盘市场中抢夺相当大比例的市场。”

新型存储技术将对磁盘和相关产业造成打击。到2011年，下一代非挥发性内存，即nanomarkets所说的“纳米存储技术”，将占磁盘驱动器和内存芯片市场的40%，届时磁盘驱动器和内存芯片市场将达到1,660亿美元。Nanomarkets预测，2004年整体下一代非挥发性内存市场预计为9,700万美元，预计2008年上升至179亿美元，2011年达到657亿美元。

预计MRAM市场2004年为200万美元，2008年成长至38亿美元，2011年上升到129亿美元。FRAM市场预计在2004年达到9,500万美元，2008年成长至13亿美元，2011年达到45亿美元。而全息内存市场2008年将达到33亿美元，2011年上升到69亿美元。相变化内存市场到2008年将达到11亿美元，2011年将升至48亿美元。分子存储市场预计2008年成长到14亿美元，2011年上升到72亿美元。纳米管内存市场预计在2008年达到19亿美元，2011年成长到89亿美元。

采用MEMS的内存市场预计到2008年上升到21亿美元，2011年成长到65亿美元。聚合体内存市场预计到2008年达到14亿美元，2011年增至79亿美元。