美国开发出最新邦定互连技术 可望简化MRAM设计

由于受更小尺寸缩放即更低驱动电流和更薄金属化的折磨，磁性随机存取存储器几乎被实验室所淘汰。但美国Sandia国家实验室的研究人员日前声称，已经获得一项解决MRAM及其它绝缘层上金属问题的方法的专利。

“通常，往绝缘体上放置金属就如同在打过蜡的汽车上放水珠。”Sandia国家实验室的理论物理学家Dwight Jennison表示。“我们提供的是在绝缘体及金属之间建立互连，帮助制造出更多出现裂缝机会小的可靠器件。”

MRAM据称低功率、非易失性、辐射增强的存储，能够存储个人电脑的整个操作系统。“IBM、摩托罗拉和惠普都承诺在一年内交付MRAM。但我们的方案电流更低，所以尺寸更小，耗热更低，”Jennison表示。

Jennison与美国太平洋西北国家实验室的Scott Chambers以及美国北德克萨斯州的化学教授Jeffrey Kelber发现了更好的新方法。这种方法可以对每个宏观的涉及到在绝缘体上放置金属大规模工业工艺进行变革。

这种工艺可将MRAM顶上的金属电极的厚度从毫米极减到6个原子层。Jennison表示，当在“Model-T”MRAM工艺中采用这种方法时，Sandia国家实验室的这种“hot-rod”(原指用旧汽车改装成高速汽车的潮流)的工艺进行Turbo-charge(增强加速)生产了。