ReRAM和MRAM追赶接近实用化的PRAM

“2007年之前开始供应样品。” 韩国三星电子已经宣布了PRAM投产的消息，ReRAM和MRAM将追赶PRAM。1月30日～31日在东京品川区召开的日本“第4届半导体内存研讨会”上，与会者介绍了有关上述新型非挥发性内存的最新开发动向。

PRAM在削减写入电流方面已有眉目

对于PRAM（phase change RAM，相变内存），曾在2005年12月召开的“2005 IEDM”会议上透露本文开头那条消息的三星Ki-Nam Kim，和日立制作所解决方案LSI研究中心ULSI研究部主任研究员高浦则克发表了演讲。

英特尔在“2001 IEDM”会议上的发言使PRAM的开发迈上了正规。此后，除三星外，意法半导体和台湾旺宏电子（Macronix International）等都在开发工作中投入了很大的力度。

PRAM最近之所以开始接近实用化，是因为通过在存储元件中采用非结晶方式，削减数据写入电流的手法正逐步得到改善。比如，Ki-Nam Kim就表示，缩小产生相变的GeSbTe（GST）区域直径，或者在GST中添加O（氧）、Si（硅）或N（氮）元素都是行之有效的手法。日立的高浦所领导的研究小组与瑞萨科技组成的联合研究小组，利用后一种手法，成功地将写入电流削减到了100μA。

至于PRAM的用途，Ki-Nam Kim表示，除在35nm工艺中有可能取代NOR型闪存外，假如能将单元尺寸减小到6F2以下，甚至有可能在更上一代工艺中取代NOR型闪存。而日立和瑞萨则设想把它混载到MCU（微控制器单元）中。

ReRAM的研究重点是大容量化技术及其工作原理

对于ReRAM（resistive RAM，电阻式内存），三星和美国Spansion公司以其在“2005 IEDM”会议上的发表内容为主，介绍了各自最新的开发动向。此外，日本东北大学教授川崎雅司则透露了有关ReRAM工作机理的最新研究成果。

瞄准将来要实现与NAND型闪存同等集成度的目标，三星比其他公司率先对交叉点型单元的形成和层叠进行了尝试。Spansion公司透露说可在存在元件材料中使用Cu2O，并表示能够利用类似CMOS的工艺形成单元，而且其特点在于工作原理比较明确。日本东北大学的川崎则表示，利用假设加压后存储元件的界面电阻会发生变化的模型，能够较为合理地说明ReRAM的工作原理。

将大容量化之路寄托在自旋注入技术上的MRAM

在公认潜力很大，但却尚未达到实用水平的MRAM（magnetoresistive RAM，磁阻内存）领域，目前备受关注的技术就是利用存储元件的电流进行磁极反转（magnetic pole inversion）来存储数据的“自旋注入磁极反转法”。

在此次的演讲中，在索尼工作时曾参与MRAM此项技术开发的日本ZyCube公司的元吉真，此技术IP供应商、与瑞萨科技联手65nm工艺MRAM开发的美国Grandis公司的Yiming Huai，谈到了该技术对被业界视为难关的MRAM大容量化及其实用化所起的作用。