取代手机SRAM IBM联手英飞凌试制16Mbit MRAM

日经BP社报道，IBM和德国英飞凌科技日前公布了容量达16Mbit的MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁性随机存取存储器）试制结果。作为在国际学术会议上发表的MRAM试制芯片，迄今为止容量最大。在2004年6月17日开幕的半导体电路制造技术国际会议“2004 Symposium on VLSI Circuits”上进行了技术发表。

此次试制芯片采用了与手机配备的低耗电SRAM相同的输入输出接口及封装等规格。采用了总线宽度为16位的非同步SRAM接口和48引脚BGA封装。读写周期约为30ns，比普通低耗电SRAM都要短。

其主要规格如下：设计工艺为180nm。工作电压方面，外部接口电路为+2.5V，内部电路为+1.8V。芯片面积为79平方毫米（包括测试电路等）。存储单元面积为1.42μm²。采用了单层多晶硅和3层金属的制造工艺。

为了提高MRAM的容量，无论如何必须将每个存储单元的写入电流值不稳定性以及写入电流的驱动电路规模控制到最小程度。为此，两公司此次新开发了称为“Bootstrapped Write Driver”的写入电流驱动方法。所谓Bootstrapped Write Driver，就是一种通过在提供写入电流的电路与作为写入对象的存储单元（位线）之间，插入栅极晶体管（nMOS型），使该栅极晶体管的驱动能力在写入时达到最大的方法。由此就比过去缩小了写入电流的驱动电路规模。

另外，通过采用此次开发的写入方法，不论位线的任何位置均能将传导写入电流的线路电阻保持在一定程度。这样就能减小写入电流值的不稳定性。