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分析:2011年DRAM的五大趋势

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2011年DRAM(动态随机存储器)市场将会出现哪些情况?以下是来自投资银行Barclays Capital的五大趋势分析

作者:存储时代(编译) 来源:Stor-age.com 2010年12月29日

关键字: 海力士 三星 美光 DRAM

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2011年DRAM(动态随机存储器)市场将会出现哪些情况?以下是来自投资银行Barclays Capital的五大趋势分析:

1、DRAM市场下滑

2011年很可能是NAND之年,而不是DRAM之年。平板电脑已经开始吞噬低端笔记本/上网本市场。在这种情况下,DRAM容量达2GB的小型笔记本电脑已被平板电脑取代,而后者仅提供256Mb或1/8大小的容量。因此,DRAM供应过剩。

2、采用30nm节点工艺

总体而言,所有厂商正在迁移到各种形式的3xnm中来。三星和海力士都迁移到了3xnm。有趣的是,尔必达也试图实现从65nm或65xS(65nm的缩小版)到3xnm的飞跃,力争大幅度降低成本。

3、韩国制造商垄断市场

与呈现分级局面的NAND市场不同,DRAM市场则存在被韩国制造商垄断的风险。目前,在前端(利润最大的技术)只有三星和海力士称得上是一级厂商,而美光、南亚、华亚(资金、技术略微落后)属于二级厂商,尔必达、力晶、瑞晶(技术、资金比较落后,但寻求实现重大飞跃)属于三级厂商。

对于DRAM市场,三星优势明显。他们还专注于制造30nm DRAM所需的 (阿麦斯公司) NXT (微影)工具市场。三星在这一年成功地增加了他们在DRAM市场的份额。相比全球DRAM市场大约45%~50%的增长率,三星实现了近70%的增长率。

海力士是一家知名的DRAM厂商,仅次于三星。目前唯一的问题在于债务负担和所有制结构,我们希望这些问题会在2011年得到解决。海力士在韩国M10晶圆厂和无锡(中国)生产4xnm和3xnm的DRAM,紧随三星之后。随着明年海力士从8F2架构移动到6F2架构,我们将会看到他们取得更大的成功。

4、美光阵营的艰难时期

曾几何时,美光似乎也跻身到一级厂商的阵营中,事实上,在2009年间美光已被评定为一级厂商,但这是依赖于他们完美地进行了DRAM电容规格过渡而实现的。2010年初的大批订单开了个好头,但所带来的收益却不够充足,全年的增长率也开始下降。

沟槽式到堆栈式的过渡并不十分顺利(对于美光的台湾合作伙伴而言)。南亚和华亚仍旧在努力生产50nm的DRAM,对于我们所期待的向40nm和30nm转变将十分困难。但至少随着沟槽式到堆栈式过度的完成,明年的情况或许会有所改观。因此,或许今年可以被记录一个学习曲线,随着明年美光与其合作伙伴南亚以及华亚拥有取得进展的必要资金,都将实现4xnm和3xnm的转变。迹象表明,2011年美光能够指导他们2/3的资本支出投向NAND。

5、尔必达的压赌

尔必达已经尽其所能争取回到主要DRAM厂商的地位。首先,台湾政府对DRAM的经济援助并未成功,但瑞晶、丽晶与茂德公司的合作关系依旧保持。现在,尔必达正努力提高在日本和台湾金融市场的融资。此外,在技术方面该公司推出了65nm XS,一个缩小的65nm DRAM芯片版本,这种芯片可使其在DRAM价格持续上升时仍能获得利润。另外,该公司正在努力实现40nm和30nm的飞跃。

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