三星宣布30nm级工艺8Gb OneNAND闪存

三星电子宣布，已经成功使用30nm级别工艺(30-39nm)制造出了8Gb容量的OneNAND混合式闪存芯片。

OneNAND是一种高可靠性嵌入式存储技术，在一颗芯片内集成了NAND内核、NOR接口、SRAM缓冲，融合了NAND闪存的高存储容量和NOR闪存的快速读取，主要面向消费电子设备和下一代智能手机。三星电子从2004年起就不断开发新型OneNAND闪存产品。

三星的新款8Gb OneNAND芯片基于SLC NAND闪存技术，读取速度最高可达70MB/s，是传统NAND闪存(17MB/s)的四倍还多，并且采用低电压设计，因而功耗更低，非常适合随着触摸屏和其他高分辨率智能手机应用而带来的大容量数据存储需求。

此外，三星还将生产工艺改进到了30mm级别，生产效率比此前的40nm级别(40-49nm)提高了40％。

三星现已开始出货3xnm 8Gb OneNAND芯片的样品，并计划本月底开始批量生产。