力晶下半年出货40nm NAND闪存颗粒

　　据报道，台湾力晶半导体主席Frank Huang近日表示，力晶计划在今年下半年开始出货40nm NAND闪存颗粒。

　　自从与瑞萨科技达成了技术授权协议后，力晶半导体就开始研发自家的闪存技术。70nm目前是力晶的主要NAND闪存处理工艺，不过他们此前曾经用50nm工艺研发过8Gb闪存颗粒。

　　台湾当局曾经在去年提出过DRAM存储业财政救助计划，力晶想借此申请45亿元新台币资金来建立NAND闪存厂，但是该计划后来又被台湾当局否定了。

　　对于内存颗粒，Frank Huang表示力晶半导体在将工艺升级到63nm后，生产成本下降了20%。但对于何时升级到45nm工艺还要看ASML公司扫描机的到货时间，ASML此前已经将扫描机的交货日期延迟。

　　Frank Huang称，目前的DRAM内存芯片价格处于一个“合理价位”，他对明年的DRAM市场持乐观态度。