东芝和SanDisk发表43nm工艺的16Gbit多值NAND闪存

东芝与美国SanDisk发表了通过采用43nm工艺和2bit/单元多值技术实现的16GbitNAND闪存（演讲序号23.6）。芯片面积仅120mm2，可封装在超小型存储卡“microSD”内。新产品配备了控制栅极驱动电路和存储阵列上的电源总线，NAND串数延长至66个，减小电路面积9％以上。演讲题目为“A 120mm2 16Gb 4-MLC NAND Flash Memory with 43nm CMOS Technology”。

两公司在2007年12月10～12日于美国华盛顿召开的电子元件技术国际会议“2007 International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）”上，公布了用于实现此次16Gbit产品的制造技术详情。存储单元采用浮游栅极构造。通过将存储单元的控制栅极和浮游栅极间的绝缘膜（IGD：inter-gate dielectric film）厚度减薄到不足13nm，同时实现了多值记忆和高速写入。此外，由于字线采用钴矽化物材料、位线采用铜材料，所以减小了行解码器和位线控制电路的面积。