多值NAND闪存的实效写入速度提至34MB/秒

美国SanDisk和东芝在ISSCC 2008上发布了采用2bit/单元的多值技术、写入时的实效数据传输速度高达34MB/秒的16Gbit的NAND闪存（演讲序号：23.1）。使用的是56nm制造技术。

为提高写入速度，调整了位线和字线的架构，同时还导入了用于提高性能的电路技术。在此前的论文发布中，2bit/单元的多值NAND闪存写入速度的最高值为10MB/秒。

把这种芯片作为1bit/单元的8Gbit产品运行时，写入时的数据传输速度可达60MB/秒以上。演讲的题目是“A 34MB/s-Program-Throughput 16Gb MLC NAND with All-Bitline Architecture in 56nm”。