海力士NAND闪存制程转进48纳米是形象工程？

韩国内存厂商海力士（Hynix）日前宣称已成功研发48纳米制程MLC（Multi-Level Cell） NAND 型闪存芯片，并将于2008年第一季度开始量产，初期月产能约2万片左右。此消息一宣布，引起了NAND闪存业界议论纷纷。

海力士在NAND闪存制程技术上一向比三星电子（Samsung Electronics）与东芝（Toshiba）晚一代左右，随着NAND闪存产业竞争日趋白热化，为能与竞争对手站在相近的起跑点上，海力士一直追赶得很辛苦，尤其在2007年NAND闪存制程进入50纳米制程世代后，为奋力扭转落后局势，海力士积极投入大量人力与资金研发57纳米制程技术，并终于在第四季度开始量产，算是勉强挤进与三星、东芝同一个制程世代中。

回顾2007年上半各厂商转进50纳米制程时，普遍面临导入不顺的问题，直到第三季度末产能才顺利大量开出，随着NAND闪存制程越微缩，导入的困难度也越高，连过去在技术方面一直处于领先的东芝与三星，都坦承其45纳米制程要到2008年第一季度才可能开发完成，且最快必须到2008年第三季度才可能开始量产。如今一向在技术上处于落后的海力士突然跳出来对外宣称其已完成48纳米制程的开发，并且比东芝及三星提早半年进行量产，不禁引起外界一阵哗然。

就技术上来看，NAND闪存制程技术一向以东芝及三星马首是瞻，海力士的角色比较像是追随者，并无太突出的表现，甚至在60纳米制程的导入阶段即已遇到些麻烦，花了好一番功夫才克服；然在短短半年的时间，海力士一下子从60纳米制程跨入50纳米制程，又在50纳米制程量产不到一季度的时间，将制程技术推进到48纳米制程，如果不是内部出现不同于以往的超强研发团队，着实令人匪夷所思，而且就算其的确成功研发48纳米制程NAND闪存，届时是否能够顺利量产，也将是业界关注焦点。

不过，日前海力士执行长金钟甲对外表示，看好笔记本电脑内建固态盘（Solid State Disk）所带来的NAND闪存商机，2008年起海力士将致力于提升NAND闪存市占率，计划在未来5年内拿下全球30%的NAND闪存市场，可见其除了要在DRAM领域打败三星，也想在NAND闪存领域超越东芝，挑战三星的霸主地位。海力士选在2008年即将来临之际，对外宣布转进48纳米制程，宣传意味十分浓厚。

然以产品组合来看，相较2007年底东芝、三星50纳米制程NAND闪存分别达到出货比重的50%与40%，海力士的57纳米制程产品占NAND闪存出货比重不到20%，仍有近8成集中在60纳米制程产品，2008年如果改以48纳米制程取代57纳米制程进行投产，以月产能2万片的规模，占海力士NAND闪存总产能约在25%左右，预估剩下75%仍将以60纳米制程产品提供；加上海力士在产能调配上，目前仍以DRAM为主轴，NAND闪存仅占总产能3成不到的比重，每月产出的晶圆片数（以12英寸计）也比东芝与三星少很多，如此的产品组合，欲在2008年如愿成功抢占市占率，难度实不低。