TSMC开发出随机存取频率高达500MHz的混载DRAM宏

台湾台积电（TSMC）发布了使用Bulk CMOS底板的随机存取时工作频率高达500MHz的1Mbit混载DRAM宏(演讲序号：14.1)。在基于Bulk CMOS技术的混载DRAM宏中，目前是最高速度，实现了与使用SOI技术的混载DRAM宏相媲美的性能。

此前的混载DRAM宏一般情况下感应电压（SENSE电压）为电源电压的1/2（即1/2Vcc），而此次为实现高速存取等，使感应电压与电源电压的数值相等。另外，通过把读取和写入用的端口分开、以及同步进行读取和写入等的方法，提高了频率。

通过使用65nm CMOS技术进行制造，把包含1Mbit DRAM宏、电源供给部分和ECC在内的电路面积控制在了0.46mm2。演讲的题目是“A 500MHz Random-Access Embedded 1Mb DRAM Macro in Bulk CMOS”。