下游厂商回补库存 DRAM曙光出现

沉寂许久的DRAM现货市场终于露出曙光，下游通路商和模组厂商开始进场扫货，整个DRAM现货市场活跃起来！下游厂商表示，之前DRAM产能转到NAND闪存效应该会在9月中之后会逐渐浮现，加上中国大陆之前的严打因素，终端需求被压抑得太久，而且欧洲市场返校需求也含畜待发，大部分厂商纷纷已认同有效测试颗粒（eTT）价格在1.5美元是短期谷底，便开始进场回补库存。

近期DRAM和NAND闪存市场不约而同呈现合约热、现货冷的情况，两者走势反常地背道而驰。NAND闪存受到三星电子（Samsung Electronics）停电因素的影响，合约价始终高高在上；而DRAM则因为品牌PC持续挤压DIY市场的生存空间，使得零售通路对于DRAM模组的需求不振，加上之前大陆查缉走私，都让DRAM现货市场陷入低迷。

模组厂商表示，之前苹果（Apple）对NAND闪存的需求强劲，加上NAND闪存利润高于DRAM，因此大厂纷纷将DRAM产能转到NAND闪存，预计后续效应该在9月中之后将浮现；此外，中国大陆之前长达数月的查缉走私，使得当地需求持续被压抑，随着十一长假即将来临，这是中国相当重要的节日，当地会逐渐启动回补库存效应。

此外，这次现货市场行情会如此低迷，也是因为之前DDR2在2.3美元的高价时，部分模组厂商进场追高价时被套牢，虽然后来低价买进摊平，然而随着DDR2价格一路跌破2美元，模组厂商越买越手软、越摊越平，整个现货市场气氛低迷，成交量相当清淡。

通路商表示，随着上周现货市场价格加速触底后，让之前套牢的模组厂商终于肯认赔杀出，因此，eTT价格在1.5美元确认是短期底部，24日已出现大型通路商和模组厂商进场为旺季行情补货，冷清的现货市场出现曙光。

模组厂商表示，在上周最后一个交易日进场补货，主要是认同在传统旺季时期，价格若跌破1.5美元是属于不合理情况，加上合约市场其实是有需求的，接下来配合大陆十一长假来临、欧洲返校需求出笼，以及9月中转产NAND闪存效应显现，遂纷纷开始回补库存。

值得注意的是，这波行情最终仍要经过终端需求测试，欧洲返校需求力道是否会受到近期次级房贷风暴的影响，还有大陆市场在十一长假前买气是否够强，都是关键因素；部分厂商认为，这波行情虽受到回补库存而触底反弹，但目前市场尚未有大行情的条件。