IBM宣布相变内存技术有重大进展

根据Electronic News报导，IBM、Macronix与Qimonda连手宣布它们在相变（phase-change）内存技术上有重大的进展，已经开发出原型产品，它的信息传输速度比闪存快了500倍以上，而撰写数据至cell的耗电量不到一半。phase-change是一种新型态的non-volatile内存，有可能在未来取代闪存；上述这三家公司在2005年5月携手开始在这个领域合作。

IBM参与的研究人员表示，他们获致的结果显示出phase-change 内存有非常光明的未来；许多人认为闪存将在近期内遇到某些瓶颈。上述phase-change内存原型组件的cross-section是3nm x 20nm，远小于今天的闪存；它采用一种新的材料，是一种germanium-antimony alloy (GeSb)，由IBM的Almaden Research Center开发。更多技术上的相关资料在本周的2006 International Electron Devices Meeting中发表。