东芝第五座NAND 闪存厂明年度动工

据彭博信息（Bloomberg）报导，日本岩手县将可能成为东芝（Toshiba）第五座NAND型闪存新厂设厂地点。该厂预计于2007年度（2007年4月～2008年3月）动工，2008年度中开始投产。报导另指出，为增产市场需求急增的NAND型闪存，东芝拟加速投资脚步，考虑着手进行第六座厂建厂事宜。不过，东芝不愿评论有关新厂的预定地、投资计划等相关报导。

据悉，东芝位于四日市的第四座厂将于2006年夏季动工，其产能将在2008年度达到满载，为此，东芝认为有必要在日本境内另觅1个NAND型闪存生产据点。

彭博报导指出，东芝第五座厂为12英寸晶圆生产线，初期投资额起码需2,000亿～3,000亿日圆（约18.2～27.2亿美元）。日前东芝表示将视市场需求动向增资，外界推估月产能达10万片的总投资金额需5,000亿～6,000亿日圆。而以往东芝的NAND型闪存事业相关投资皆与美商新帝（SanDisk）对半出资，日后双方仍可能采取同样的合作模式。

有关新厂的预定地，除岩手县外，石川县、大分县等日本其它县市亦提出优惠措施，期盼吸引东芝NAND型闪存厂进驻，然考虑东芝旗下生产CMOS影像传感器等产品的岩手东芝Electronic厂亦是设在岩手县，在地利之便、且该县亦提供东芝税赋优惠措施等考虑下，新厂设厂地点几乎可以笃定由岩手县出线。

此外，东芝亦开始研拟兴建第六座NAND型闪存厂的相关事宜，据悉，设厂地点可能选在新帝属意的新加坡等地。

日前东芝发表至2008年度的中期营运计划指出，半导体事业将为拉抬东芝集团成长的一大动力，预估至2008年度东芝营收将扩增为7.8兆日圆，较2005年度成长18％。其中，含半导体在内的电子组件事业营收将达2.29兆日圆，为2005年度的1.7倍。

东芝先前指出，未来3年间东芝总资本支出将达2.04兆日圆，其中，电子组件事业资本支出将占总集团资本支出的60％，约为1.25兆日圆。