2005年DRAM市场海力士异军突起

据金融时报（FT）报导，随着南韩半导体大厂海力士（Hynix）在2005年顺利拿下DRAM亚军宝座，以及NAND型闪存全球市占率达12.7％的佳绩，海力士策略计划资深副总裁Kwon Oh-chol在接受访问时，表示海力士的秘密武器为效率，藉由增加厂房和员工产能，在短短的时间内即让对手造成极大的压力。

海力士近几年来脱胎换骨，由1家濒临破产的半导体厂商，经过一番阵痛改造期，并在2005年藉由NAND型闪存和成功的产品组合一跃而起，过程有如戏剧化的转变，而带领海力士成功的最大利器即为「效率」，使海力士成为全球最具成本效益的半导体厂商。

报导指出，3年前海力士每月仅能产出22.5万片内存晶圆，然而如今月产能已经增加1倍，其中士位于南韩利川（Ichon）、由8英寸厂改建而成的首座12英寸厂M10，即为海力士如何简化生产流程、事半功倍的最佳实例，M10在2004年10月仅能生产4,000片12英寸晶圆，然而到了2005年第三季时月产能已升至2.5万片，预计在2006年底月产能目标上看5万片。

根据市调机构Gartner报告指出，2005年营收攀升23.4％，达57亿美元，成长速度飞快，年度营运获利率高达27％，在众多内存厂商中仅次于三星电子（Samsung Electronics）。相较之下，其它内存厂商的获利表现则逊色许多，美光（Micron）营运获利率仅达2％，而尔必达（Elpida）和英飞凌（Infineon）则为呈现负数，分别为-2％、-10％。

另在NAND型闪存市场上海力士亦节节进攻，2005年拿下12.7％的市占率，仅次于三星电子和东芝（Toshiba），外界并预期海力士与东芝差距日益接近。

海力士并预备藉由投入大笔资金带动下一波成长动力，日前宣布2006年资本支出高达3.6兆韩元（约36亿美元），并以策略联盟的方式扩建产能，包括与意法半导体（ST Microelectronics）在大陆无锡合建的8英寸和12英寸厂，并与台厂茂德合作，取得12英寸厂产能；此外，海力士并预估未来7年内斥资200亿美元，可能会再以融资方式进行扩张。

不过报导指出，虽海力士表现亮眼，力图追赶三星，然在资本支出上仍是小巫见大巫，三星2006年内存事业资本支出达4.58兆韩元（约46亿美元），未来7年预期投入资金高达330亿美元。另外，投资机构雷曼兄弟分析师指出，由于海力士已为纯内存公司，因此面对内存市场波动振荡的景气循环，海力士前景仍具风险性。

近来闪存价格下滑迅速，引发业界对于担忧闪存产业恐提前出现供过于求的景况，亦使得海力士股价向下滑落。不过Kwon对此仍抱持乐观态度，表示2006年市况虽不如2005年，但仍将是个好年。