三星计划在05年将闪存产量提高140%

为了维持其在闪存领域中的领导地位，韩国的三星电子(Samsung Electronics)计划在2005年把以比特计算的总体闪存产量提高140%。

三星还准备在2005年推出一款单片4-gigabit NAND闪存器件，在2006年推出8-Gbit闪存。该公司最近介绍了它的基于63纳米工艺的8-Gbit NAND闪存。

三星的美国子公司——三星半导体(Samsung Semiconductor Inc.)的存储器高级副总裁Tom Quinn表示，上述举措是为了保持三星在NAND及总体闪存市场中的龙头地位。

三星同时生产NAND和NOR闪存，是全球最大的NAND供应商。Quinn表示，尽管目前市场低迷，但对于闪存的需求并未减弱。他最近指出：“对于我们来说，市场需求非常强劲。”

三星还指出，闪存将是推动该公司成长和技术发展的主要动力。相比之下，三星计划在2005年把以比特计算的DRAM产量提高50%。

预计三星的增长速度将快于整体内存市场。预计2005年所有的存储器件市场都将下滑。据美国半导体产业协会(SIA)，2004年DRAM市场增长61.2%，2005年可能下降14.7%，2006和2007年分别增长9.4%和20%；2003-2007年，DRAM市场分别为167亿美元、269亿美元、230亿美元、251亿美元和301亿美元。

SIA还指出，2004年闪存市场增长34.6%，2005年预计下降1.8%，2006和2007年分别增长3.2%和14.7%；2003-2007年，闪存市场分别为117亿美元、158亿美元、155亿美元、160亿美元和183亿美元。