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据Factiva报导,全球第二大半导体厂三星(Samsung)将投注6,798亿韩元(约6.42亿美元)预算,扩增三星位于Giheung现有内存产能,未来新增产能将以生产闪存(Flash)芯片为主。
另据彭博信息引述三星发言人Cho Sung In表示,这项支出已涵括在2004年内存事业资本支出预算4.92兆韩元当中,将作为采购厂房设备之用,而新增产能预计在2005年第三季(Q3)开始投产。
据三星呈交南韩官方数据显示,用于储存手机资料的闪存需求不断增加,三星董事会因而决议扩增闪存现有产能。三星向来为NAND型闪存霸主,在11月间推出One NAND型Flash,试图跨足NOR型Flash市场。
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