一项新的主存储技术——ReRam，它通过改变cell的电阻来存储数据，目前有各种各样ReRam技术正在开发之中，包括相变内存(PCM)和惠普Memristor技术。松下、美光和三星，也正致力于ReRAM的研发。一个有趣的问题：ReRAM能在多大程度上替代高速DRAM？
为一个新的主存储技术做好准备吧: ReRam。
NAND闪存在一个小的电子云上保存数据。电荷的存在或不存在(或电荷的强度)告诉我们存储了哪些数据。
ReRam通过改变cell的电阻来存储数据。目前有各种各样ReRam技术正在开发之中，包括相变内存(PCM)和惠普Memristor技术。
随着更多细节的透露，我们期待这个行业将形成良性竞争态势。
优点
虽然有不同的规格,但是所有ReRAM都具有当前NAND闪存拥有的主要优点：
• 速度 ReRAM写速度更快——以纳秒为单位而不是毫秒——使它更好适应于高性能应用。
• 耐用性 最常见的MLC闪存只能处理10000次写操作，而ReRAM却可以处理数百万个。
• 功率 研究人员已经证明微安培写入功率并期望很快将进一步降低到纳安范围，这使得ReRAM比NAND闪存能效更高。
在可预见的未来，NAND闪存将保留在成本和密度上的优势,这意味着它仍将在未来几十年存活下去。那么ReRAM在存储层中的定位是?
• 数据完整性 丢失一个快照是没有什么大不了的。丢失你的支票帐户存款就不一样了。关键任务应用更喜欢ReRAM，而且关键是买得起。
• 性能 固态盘这种高速存储介质消除了复杂性并提高了性能。
• 移动性 网络宽带和内存容量之间进行着一场永无止境的拉锯战，在这种情况下，消费者可能会喜欢上他们移动设备的大容量存储。如果是这样, ReRAM节能的优点将在高端产品有所体现。
东芝凭借其类似于今天1.5万转硬盘的固态硬盘，开始涉足这些高端市场。这可能不是一个巨大的市场，但是其高利润率还是值得一试的。
其他厂商，包括松下、美光和三星，也正在致力于ReRAM的研发。另外一个有趣的问题是：在系统中ReRAM多大程度上能替代高速DRAM？
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