新的存储技术时不时就会冒出来一个,但从研发到商用总是要历经漫长的艰难坎坷。如果说Crossbar这种小型创业公司的电阻式RRAM让你感到信心不足,那么存储大厂美光的可变电阻式ReRAM会不会更有吸引力?
其实,美光早在2007年就提出了这种技术,此后几乎每年都会透露一些进展,但就是距离量产遥遥无期,这次也没有给出具体时间表。
美光是和索尼联合研发ReRAM的,其基本原理和Crossbar RRAM有些类似,同样是非易失性存储,但是更强调电阻可变,同时为了区分,缩写也有所不同。
美光这次在IEEE IEDM 2014国际电子设备大会上上公布的原型采用了27nm CMOS工艺制造,三层铜线互连,单颗容量16Gb(2GB),内核面积168平方毫米。作为原型,它采用了DDR内存接口,但后期很容易替换。
美光表示,理想的指标是读写带宽1000MB/s、200MB/s,读写延迟2微秒、10微秒,而目前的原型可以发挥大约九成的功力。
设计指标与内核局部照片
设计指标与原型指标
内部互连结构示意图
索尼也有很大的贡献
好文章,需要你的鼓励
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