相变内存：三星新一代NVRAM的选择

韩国三星电子在2005年7月22日由日本应用物理学会液晶工程学分科会召开的“非挥发性内存（NVRAM）的现状与未来”研究会上，介绍了新型非挥发性内存的未来动向。在新型非挥发性内存中，该公司目前正在全面开发FeRAM（铁电内存）、MRAM（磁阻RAM）、PRAM（相变内存）和ReRAM（resistive RAM）等颇具潜力的产品。

由于2002年至2003年三星集中了开发资源，在2003年底至2004年初对主要致力于特定开发对象的业务方向进行了探讨。但此后却改变了方针，继续推进旨在贯彻全面开发的“全方位战略”。不过，综合众多有关人士的表态，目前在开发资源的分配上已经有所区别。该公司目前最为重视、且在致力实用化研究的就是PRAM。

在此次研究会上，三星尖端技术开发部门的Hongsik Jeong以《Future prospect of new emerging Nonvolatile RAM（新型非挥发性RAM的未来前景）》为题发表了演讲，谈论了对FeRAM、MRAM、PRAM技术特性的看法。作为FeRAM和MRAM，与闪存相比由于难以实现大容量，因此预计不会作为单体内存投入实际运用。他认为，FeRAM耗电量低，混载时追加掩膜数少，而MRAM具有高速特性，因此适合于能够发挥各自特点的混载内存。关于PRAM，哪怕是业界认为NOR型闪存难以达到的32nm工艺以后，也能继续提高微细化工艺，因此作为“后闪存”产品，极具发展前景。至于ReRAM，此次演讲没有提及，不过据称与上述3项技术相比，仍处于研究初始阶段。

那么，该公司为何还要继续进行FeRAM和MRAM的开发呢？据称，其原因在于随着新材料和新的记录技术的亮相，这些技术均有可能成为闪存的替代产品。比如，在DRAM方面，就能应用2010年以后有望达到实用水平的自旋电子技术。据Hongsik Jeong表示，目前不被看好的MRAM通过运用自旋电子技术，仍有机会继承闪存的衣钵。不过，目前该公司自身并未进行自旋电子技术的开发。