东芝20nm级NAND闪存新厂Fab 5开工建设

东芝公司今天宣布，位于日本三重县四日市的东芝NAND闪存晶圆厂新厂房Fab 5已经正式开工建设，预计2011年春竣工。东芝同时还宣布，与SandiDisk公司达成初步协议，将成立一个新的合资企业，专门运作Fab 5工厂。

Fab 5设计图

由于新兴市场如智能手机、固态硬盘对NAND闪存的需求与日俱增，东芝决定新建厂房扩大NAND闪存制造产能。Fab 5将独立于东芝四日工厂的其他部分，根据投资规模和市场趋势分两期进行建设。第二期工程建成后，Fab 5的规模将和旁边的Fab 4相当，占地面积3.8万平方米。东芝和SanDisk将根据市场趋势灵活决定后续生产设备投资，并依照投资比例分配产能。

东芝四日工厂全貌 右侧为Fab 5

Fab 5将直接使用最先进的20nm级工艺制造NAND闪存。其建筑包含地震吸能结构，半导体制造设备使用变频泵，全面采用LED照明以及各种节能设备，全厂二氧化碳排放量将比Fab 4降低12%。

除了新建Fab 5外，东芝和SanDisk公司还将加速提升现有厂房无尘室空间的利用率。预计在Fab 5投产时，Fab 4即可实现全产能运行。