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至顶网存储频道Intel X25-V RAID 0实测 性能超越X25-M

Intel X25-V RAID 0实测 性能超越X25-M

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日前,Anandtech创始人Anand Lal Shimpi又撰写了一篇有趣的测试文章,讨论如果使用两块X25-V,是否会得到一个比容量相同、价格类似的80GB X25-M更高性能的存储平台。正如我们一开始所说,组建RAID的代价是你将失去TRIM支持。那么,这会有多大的影响呢?

作者:Skyangeles 来源:驱动之家 2010年3月30日

关键字: SSD NAND 固态盘 TRIM

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丧失TRIM的代价

从上面的测试可以看到,两块X25-V组建RAID 0的性能令人兴奋,性价比相当高。不过,正如我们一开始所说,组建RAID的代价是你将失去TRIM支持。那么,这会有多大的影响呢?

这一问题要分情况来看。对于连续读写应用来说,TRIM功能对Intel方案固态硬盘并不重要。而随着读写访问的随机性增大,TRIM将变得越来越重要。虽然普通民用桌面应用时,并不会出现像服务器应用那样大量频繁全盘随机访问的情况,但随机写入量也不能算小。依照下面的图表,写入放大率(固态硬盘实际写入闪存数据与需要写入数据之比,越高则操作越复杂,性能越差)与剩余空间量成反比,因此保证尽可能大的剩余空间将是在无TRIM指令时保持SSD性能水平的最佳解决方案。

依照这一原理,为保持X25-V RAID阵列的高性能,可以将部分NAND闪存人为的划分为闲置空间。比如将两块硬盘清空,组建RAID 0阵列,但在分区时空出10%到20%的空间。Intel控制器会自动将这些空间用作空余空间替换使用,以保持性能延长寿命。

为验证这种做法的效果,测试者将两块X25-V RAID 0阵列装满垃圾数据,然后全部删除再进行20分钟高负荷的随机数据写入,马上运行HD Tach,就得到了这样惨不忍睹的写入性能:

可以看到,写入速度频繁跌落至0MB/s附近,如果是支持TRIM的单盘X25-M在这种折磨下的表现肯定不会如此惨烈。而只要在清空后进行一段时间连续写入,测试结果就会好起来:

在同样的测试中,如果只在RAID 0阵列中划分出60GB分区使用,则随机写入后的测试表现为:

连续写入后表现:

可以看到,用空间换性能的效果相当明显,损失了15GB左右的空间,但在一定程度上弥补了失去TRIM的烦恼。当然,在实际使用中只有经过几个月的时间才有可能出现这样的性能退化问题,而且好消息是只要进行一批连续写入数据,Intel控制器就能很快恢复性能。

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