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海力士与美国Ovonyx签订PRAM技术授权合同

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韩国海力士半导体与拥有新一代半导体内存PRAM(Phase Change RAM,相变存储器)基础技术的美国Ovonyx签订了PRAM技术授权合同。

作者:hyy(转源/原文:技术在线) 2007年10月15日

关键字: Hybird PRAM Ovonyx 海力士

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韩国海力士半导体与拥有新一代半导体内存PRAM(Phase Change RAM,相变存储器)基础技术的美国Ovonyx签订了PRAM技术授权合同。海力士和Ovonyx将从PRAM的技术开发入手,在材料、工艺、设计及制造等多个领域展开合作。

海力士表示,“正式涉足被称为存储器市场新范例的PRAM业务具有重要意义。我们将为PRAM的技术开发和量产做出不断努力”。

根据海力士于7月发布的中长期计划,到2017年销售额的30%以上将由包括PRAM在内的新产品群来实现。

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