联电与尔必达合作研发Low-k铜导线DRAM及PRAM内存

为了继续扩大晶圆代工伙伴关系，日本尔必达(Elpida)将与中国台湾晶圆代工厂商联电(UMC)进行合作，共同研发Low-k铜导线DRAM与相变随机存取内存(PRAM)。

联电将会许可尔必达在DRAM生产中使用联电的Low-k铜导线后端技术，而尔必达也会允许联电在高级系统芯片(SoC)解决方案中使用该公司的嵌入DRAM技术。此外，尔必达与联电将合作研发PRAM技术。这项合作将把尔必达在GST(硫族化合物)材料方面的专业知识与联电在CMOS逻辑制程方面的努力结合起来。

尔必达的首席技术官Takao Adachi在声明中表示：“与联电之间的协议，是迈向未来的内存开发的重要一步，因为Low-k铜导线DRAM将帮助提高高性能DRAM的产量和向更先进的制程过渡。”

尔必达与中芯国际和力晶半导体等其它晶圆代工厂商之间也有合作关系。

联电的首席运营官Shih Wei Sun表示：“我们希望利用合作成果，向市场推出更多的高级嵌入内存SoC解决方案，支持我们的晶圆代工客户。”