结合NOR闪存与微控制器 英特尔与英飞凌联手开发高密度SIM卡

英特尔（Intel）与英飞凌（Infineon）计划在明年下半年开始生产一款高密度SIM卡的样品，2009年开始批量生产。在巴黎举行的Cartes展会上，这两家公司宣布建立一家合资企业，从事开发这种SIM卡。

根据合作协议，英飞凌的高密度安全微控制器将与英特尔的NOR闪存技术整合在一起，从4MB到64MB。作为合资企业的一部分，英飞凌将开发一款基于其现有的SLE88系列的32位安全微控制器，用于高密度SIM卡。

市场调研公司Frost & Sullivan最近发表的一份报告指出，如果2010年总体SIM卡市场从今年的25亿个左右增长到38亿个，则高密度SIM卡将在其中占6-8%。Frost & Sullivan的Ubhey表示：“高密度SIM卡可以采用NOR闪存与微控制器组合，为移动网络运营商采取新的商业模式和扩大用户基础创造了条件。”

英特尔闪存产品部门的总经理Glen Hawk认为：“我们和英飞凌都相信，随着移动网络运营商推出采用多媒体用户界面和运营商品牌的应用驱动型服务，高密度SIM卡市场将有明显增长。

英飞凌芯片卡与安全IC部门的总经理Helmut Gassell在Cartes展会上发表的一份声明中表示：“基于硬件的安全和10MB以上的内存，是增强型电话簿、基于位置的服务以及其它基于智能卡web服务器技术的创新型应用的必备条件。英飞凌决定以适当的性能和安全性来满足这些应用的要求。”

英特尔和英飞凌暗示，预计NOR闪存将是高密度SIM卡的使用主要内存技术，因为小单元尺寸使其具有较低的价格，这将使高密度SIM解决方案被更多的用户所接受。