NEC等首次公开使用贯通电极的4Gbit DRAM的散热特性

NEC电子、OKI（冲电气工业）、尔必达内存（Elpida Memory）在正于美国加利福尼亚州圣诺塞召开的安装技术相关国际会议“IMAPS（international microelectronics and packaging society） 2007”上，就3家合作开发中的8芯片积层型4Gbit DRAM的散热特性发表了演讲。

三家合作开发的是在单一封装内层积8个512Mbit DRAM和1个控制器LSI（系统LSI）的LSI。每1个端子与外部的数据传输速度最高为3Gbps。积层的8个DRAM之间以硅贯通电极连接，夹着转接板与控制器LSI相连。封装内采用了NEC电子开发的半导体封装技术“SMAFTI（smart chip connection with feedthrough interposer）”，能够以50μm的连接间隔多点连接逻辑LSI和大容量内存，而且使用了薄型贯通转接板。

8芯片积层型4Gbit DRAM的内部结构

首先给内置1个传输速度为3Gbps的DRAM芯片和控制器LSI的SMAFTI封装安装散热器，通过模拟和实测检测了封装的热阻抗。与不安装散热器时相比，热阻抗在模拟和实测中均降低了约20％。

然后又利用内置了8个传输速度为3Gbps的DRAM芯片和控制器LSI的SMAFTI封装，对散热器的有无以及DRAM多段积层对热阻抗的影响进行了调查。结果是，即使在8段积层DRAM的情况下，安装散热器与不安装相比，热阻抗仍降低了24～36％。也就是说，在安装散热器的条件下，8段积层DRAM比之只内置1个DRAM，封装的热阻抗也仅上升了6％。“多段积层DRAM的散热特性并没有人们想象的那么差”（NEC电子）。单看散热特性，8芯片积层型4Gbit DRAM的实用化目标已初露端倪。