海力士境外生产66纳米DRAM引技术外泄争议

韩国朝鲜日报报道，海力士（Hynix）正在推进在有战略合作关系的中国台湾茂德(Promos)公司采用最尖端的66纳米工艺技术生产DRAM产品。另外，海力士已与意法半导体公司（ST Micro）合作，在中国无锡建立的合作工厂生产采用66纳米工艺技术的DRAM产品。

66纳米工艺是全球内存芯片企业中，只有三星电子和海力士成功实现量产的最尖端技术。尤其是在近日开始执行的《产业技术外泄防止法》中，将80纳米以下的半导体技术规定为国家应该保护的核心技术，因此，在与主要负责部门产业资源部的协商过程中，预计将引发技术外泄争议。

海力士的高层相关人士11日表示：“目前正在推进在有合作关系的中国台湾茂德公司生产采用66纳米工艺技术的产品。”海力士于2003年和台湾的外包企业茂德签订了战略合作合同，目前茂德工厂使用海力士提供的80纳米工艺技术生产DRAM。