海力士发布1Gb DDR3 1066MHz DRAM芯片

海力士半导体（Hynix Semiconductor）宣布已经获得下一代超高速DDR3内存的产品认证。海力士采用80纳米工艺来生产1Gb DDR3芯片，这种芯片制作的PC平台大容量内存模组也同时通过了认证。

通过认证的内存模组有1GB和2GB这两种容量，工作电压为1.5v，运行速度为800Mbps和1066Mbps。目前在PC及服务器等平台的内存中，DDR2是绝对主流，其运行速度最大为800Mbps，而DDR3可以达到1600Mbps，是DDR2的两倍，能明显提高计算性能。根据IT业界性能提升的规律，今年年底，DDR2到DDR3的过渡将逐步开始启动。DDR3和DDR2相比，工作电压从1.8v降低到了1.5v，功耗可以减少25％以上，属于节电型的产品，每瓦特性能也随之提升。

值得一提的是，该新产品为了稳定运行，采用了立体化设计的“3D半导体管”结构，以减少漏电流的消耗功率，市场调查机构iSuppli预测，DDR3市场08年年底之前将达到DRAM市场份额的25％，2010年时成为市场主流。

这款DRAM芯片的批量生产将从今年第三季度开始，采用80nm制程，到07年年末，66纳米工艺也将开始投入生产。