海力士20层超薄型NAND闪存研发成功

海力士半导体（Hynix Semiconductor）宣布，采用多芯片封装（MCP，Multi-Chip Package）技术的20层超薄型NAND闪存研发成功，主要面向手机等多功能消费电子产品。这是业界中最薄的25微米超薄型半导体，其厚度只有1.4mm，采用了适合批量生产的层积技术。

对于半导体工艺而言，它们在制造的时候，需要对各个微小的晶体管进行连接，而且是在芯片底部附着的金属基板上进行的，一般情况下，半导体越薄，这块金属基板越容易产生裂缝。海力士在生产该产品时，和以前的工艺有所差异，将一些垂直不堆叠的芯片改为台阶型层积的方式，使得底部的芯片能够支撑上面的芯片，再加上金属基板的固定作用，减少了出现问题的几率，从而提高了良品率。为了在最小面积里面做到20层堆叠，所采用的技术有：

• 为了在芯片两测或其中一侧进行布线，改变了半导体内部电路，进行了重布线。

• 采用了只有A4纸1/4厚度 的重布线技术。

• 采用了晶圆激光切割技术， 有利于减少冲击。

• 采用了可以减少芯片间连接部份厚度 的技术，例如晶圆背面迭片结构（WBL，Wafer Backside Lamination）。