业界评析：DRAM价格持续低迷 NAND闪存深怕被拖累

近期DRAM价格异常疲软，传统淡季效应表现得淋漓尽致，512Mb的DDR2 eTT颗粒价格再度大跌，目前已接近1.5美元关卡，主要是PC市场人气不足所致，虽然有部分业者仍在期待Vista效应，但似乎在慢慢失效。更多的业者担心，如果DRAM价格再跌下去，目前价格稳定的 NAND 型闪存压力也不小，毕竟DRAM和NAND闪存目前已是内存产能中跷跷板的两端，若有一方过于失常，都会影响到另一方的供需平衡。

三星电子（Samsung Electronics）日前表示，自2007年3月开始，终端市场对1GB容量DRAM模组的需求量已超过512MB，且现而且现在的DRAM芯片价格对于鼓励消费者升级至2GB模组是相当有吸引力的。

然而尽管如此，目前正处于传统淡季时期，整体大环境的DRAM需求其实仍是相当萎靡不振，虽然DRAM模组的主流容量已是1GB，但要再鼓励消费者升级至1.5GB或是2GB的模组容量，似乎要再多一些诱惑力才行，也就是说，DRAM要再便宜一点。

2007年下半年还会不会有Vista效应，目前各界的看法是从满怀希望，逐渐已变成不抱希望，2006年底就是因为对整体PC 产业的Vista效应怀抱太大希望，不少PC大厂不断囤积库存，到了2007年初，DRAM市场陷入供过于求，芯片价格一路下滑，自此都没有反弹过，现在512Mb的DDR2 eTT颗粒价格更是再探1.5美元关卡，需求相当疲弱。

然值得注意的是，虽然目前NAND闪存价格相当稳定，主要是上游大厂的供给量不足，使得整个NAND闪存市场在传统淡季期间，价格还得以维持，然大家也相当担心，NAND闪存和DRAM毕竟是生命共同体，双方共享同样的内存大厂产能，若是DRAM景气再恶化下去，下半年恐拖垮NAND闪存的景气。

DRAM和NAND闪存是分属于不同的应用领域，DRAM市场荣枯主要是紧系PC 产业的需求，而NAND闪存则是偏向消费端的应用，包括数码相机、U盘、手机等领域，都是牵动NAND闪存供需的关键，但这两项产品线都是目前内存大厂产能分配的主力，因此DRAM和NAND闪存可说是跷跷板的两端，任何一方的供需情况，都会影响另一方。

DRAM和NAND闪存同时大好当然是最佳状况，但事实上，这两项产品很少同时缺货，像是2005年因为iPod nano热卖之故，导致NAND闪存呈现大缺货，价格大幅上扬，但DRAM市场的景气则是相当惨淡；大家最不愿见到的情况是，然DRAM和NAND闪存两者的景气同时沉沦，虽然这种机率或许不高，但由于眼前不断往下的DRAM价格，已让不少人开始担心。

依目前情况分析，市场对2007年下半NAND闪存景气的预期不错，不过这是基于苹果在下半年推出的iPod nano和iPhone将形成热卖的预期，连带提升对NAND闪存的需求。因此三星电子、海力士（Hynix）等预定的NAND闪存产能，都是超乎内存大厂的预期需求量。

相对的，市场对于NAND闪存新应用上，尤其是固态盘，态度可能就比较保守，因为市场普遍认为目前的NAND闪存价格尚不足以取代硬盘，因此要到2008年之后，固态盘的效应才会显现。

整体而言，若是苹果iPod nano和iPhone销售状况如预期，能消耗这么多的NAND闪存，那整个市场的供需就不需要如此担心了，然而如果苹果的销售量低于预期，且DRAM市场的需求继续的萎靡不振，那届时NAND闪存产业的景气恐怕就要开始令人担心了。