三星MLC制程受阻　控制芯片与模组厂心惊惊

对NAND型闪存大厂三星电子（Samsung Electronics）而言，2005年进度严重递延的MLC（Multi-Level-Cell）芯片，是相当令人泄气的挫折，然三星2006年在MLC制程上卷土重来，虽然扳回不少颜面，但良率仍是备受考验，这时更加凸显控制芯片角色的重要性，而近期控制芯片对于三星63奈米制程的支持度状况却又频传，对2006年行情已经够诡谲的NAND型闪存产业而言，无疑是雪上加霜。

2005年三星原本要交货给大客户苹果（Apple）的MLC芯片，受到制程不顺影响，改以SLC（Single-Level-Cell）芯片交货，后续惹出不少麻烦事。到了2006年第三季，三星的MLC芯片占整体NAND型闪存产出的比重已达40％，据三星对第四季的产能规划，比重将提升至75％，2007年更将达到90％，足见三星对于MLC制程的企图心。

MLC与SLC芯片相较，虽然具有成本低廉的优势，然其速度较慢，因此需要控制芯片的效能够强，才能支持和弥补其缺点，因此SLC芯片的NOP（Number of Page）为4次，也就是每页可以写4次，然MLC的NOP只能写1次，也就是说，支持MLC制程的控制芯片，需要较严格的标准。

原本下游记忆卡厂和模组厂对于2006年三星在MLC制程上的企图心，都是雀跃不已，因为2005年一整年，东芝（Toshiba）阵营的同业用低成本的MLC芯片冲锋陷阵，大大抢夺市占率，让隶属三星阵营的下游模组厂，足足挨打了一整年，2006年好不容易等到扳回一城的机会，正等待机会大显身手一番。

三星的MLC芯片在下半年终于千呼万唤始出来，然这此时却发生控制芯片支持度出差错问题，虽然记忆卡厂的产品在生产在线即被发现，因此赶紧停止量产，然对于整个NAND型闪存产业而言，控制芯片业者的技术在此时没有跟上脚步，对原本主流将由SLC制程转为MLC制程的NAND型闪存产业，无疑又是不小阻碍。

从上半年起，每家控制芯片业者都心知肚明，三星MLC芯片的支持度这项重要关键，对于竞争越亦激烈的控制芯片产业而言，具相当重要的影响力，因为谁的支持度最为成熟，谁就有机会在下一轮大战中胜出，各家业者是谁也不敢轻忽。

然最不希望看到的事情，最后仍是发生了，整个NAND型闪存陷入胶着。这代表随着NAND型闪存制程越微缩，物理现象的极限越来越明显，不但是下一代先进制程的转换，这次SLC制程转为MLC制程，对控制芯片业者而言，难度及挑战度实在不容小觑。

依三星的蓝图规划来看，即使其MLC制程品质仍有待改善空间，然将产能转移至MLC制程的脚步，看不出有任何放缓脚步的迹象，因此，现在是控制芯片业者和模组厂都是心急如焚。

控制芯片业者不但要解决技术上的困难，更要花力气说服客户采用，保证新版的产品不会再有兼容性的问题，然模组厂更是为难，面对品质同样堪虑的MLC型闪存芯片和控制芯片，风险相对增加，采用后万一又出差错，后果不堪设想，然若是不采用，又怕新产品进度延误，因此失去竞争力和市占率，也是两难问题。

由此可知，这次整个NAND型闪存产业的主流由SLC转为MLC制程，不但大厂三星折腾2年，对控制芯片业者、模组厂、记忆卡厂等，都是不小的考验，对行情已经够诡谲的NAND型闪存产业，2006年实在是个多事之年。