美光发布全球首颗1Gb DDR3内存芯片

美光（Micron）公司于25日宣布，推出容量为1Gb的DDR3内存芯片，希望能以更快的速度、更低的能耗以满足来自PC游戏、服务器、超级计算、HDTV等领域的需求。

“我们很高兴能在全世界率先发表1Gb DDR3内存芯片，”美光存储器部门副总裁Brian Shirley表示，“美光在先进DRAM技术上的策略，使我们可以在高容量存储器方案中处于领导地位。”

美光的1Gb DDR3内存芯片每引脚的数据传输率为800Mb/s至1600Mb/s，工作频率为400MHz-800MHz，传输速度是当前DDR2的两倍。当以1600Mb/s的速度工作时，10万页的文档可在1秒内传完。另外，DDR3的工作电压是1.5-1.8V，相较DDR2能耗降低了30%。

美光表示，将以78nm工艺生产DDR3内存芯片，用于客户评估的样品将在2007年年初开始供货，目前可提供的位宽规格分别为4bit、8bit和16bit，并将完全符合JEDEC的DDR3规范，该芯片将支持从512MB至4GB的不同类型内存模组，包括FB-DIMM、Unb-DIMM、SO-DIMM和Reg-DIMM。

另外，美光表示，现在正在开发2Gb DDR3内存，预计也将在2007年早些时候发布，从而进一步推动高密度内存产业的发展。