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美光奋起直追 一年内所有晶圆厂升级12英寸

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美光奋起直追 一年内所有晶圆厂升级12英寸

作者:hyy(整理) 2007年4月9日

关键字: DRAM 美光 McAfee N-Gage

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美光(Micron)于上周公布第二季度财报后,对2007年的投资计划做了进一步的说明,财政总监Wilbur Stove在发布会中表示,美光2007年的支出预算为40亿美元,而在前两个季度已使用了三分之二。分析师认为这样的情况非常正常,因为台湾省、日本和韩系的DRAM大厂也同样使出了浑身解数,希望能加速扩产以提高市场占有率,并进一步降低生产成本。

美光在上周公布了第二季财报,亏损5,200万美元,每股亏损达7美分,而原本分析师预测每股有3美分的盈利,2006年第二季度则是每股净赚27美分。不过即便如此美光仍旧强调内存价格已经逐渐稳定,预计年之底前需求将逐步提升。

美光之所以如此积极地投资,主要目的还是希望能够加速扩充12英寸厂的产能,进一步降低生产成本,美光表示,美光位于Manassas、Virginia的12英寸厂已经是产能满载状态,而Manassas的12英寸厂同时投产DRAM以及NAND 型闪存,而且此晶圆厂已经采用72纳米制程投产MLC的NAND型Flash。

美光也同时表示,美光50纳米制程的NAND型闪存已经完成测试认证,开始增大生产比重的时间点将是在2007年底前。至于位于Lehi的全新12英寸晶圆厂已经完成认证,将投入NAND型闪存的生产。位于Manassas的12英寸厂则采用78纳米制程技术投产DRAM,美光预计未来12个月内DRAM以及NAND型闪存将会全数以12英寸投产。

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