东芝拟再建4座NAND闪存厂　欲夺回市占宝座

据彭博信息（Bloomberg）报导，日厂东芝（Toshiba）执行常务董事暨东芝旗下Semiconductor社长室町正志接受彭博专访时重申，东芝拟扩大NAND型闪存生产，欲从三星电子（Samsung Electronics）手中夺回市占霸主。为此，东芝计划在2007年度（2007年4月～2008年3月）以后，再增建4座厂，NAND型闪存的厂房总计将扩充至8座，预估所需的总投资额高达2.5兆日圆（约212.8亿美元）。

受惠于数字随身听、数字相机（DSC）等应用产品需求畅旺，东芝加速增产闪存脚步，扩大事业规模。据估计，至2008年度东芝半导体部门内的内存事业营收，将由2006年度的5,000亿日圆扩增为9,000亿日圆、甚至上看1兆日圆。东芝盼能在2008年度与合作伙伴新帝（SanDisk）连手攻下全球NAND型闪存市场40％的市占。

身为NAND型闪存发明厂商的东芝，至2001年之前，拥有市场半壁江山，独占市场鳌头，然随着三星势力逐渐扩张，现市占落居全球第二。室町正志表示，东芝时时刻刻想着重回市占宝座，在投入如此多的经营资源状况下，东芝决不会中途放弃。

东芝NAND型闪存量产据点的四日厂现有的Fab 1、Fab 2月产能为10万片（以8吋晶圆计）；Fab 3月产能经扩产后将达11万片（以12吋晶圆计）。已在2006年8月动土的Fab 4生产计划大致底定，东芝与新帝的总投资额约达6,000亿日圆，月产能最多达15万片。除此之外，东芝尚规划新增建4座厂，预估所需的总投资额达2.5兆日圆。

东芝自2006年5月起开始研拟Fab 5建厂事宜，其具体计划包括，将在2007年上半拍板定案，2009年开始量产。室町正志透露，为不让资源分散，东芝有意在Fab 5设厂的同一地点另再打造Fab 6、Fab 7、Fab 8。

对于三星曾提过将在2012年之前耗资330亿美元，新建7～8座12吋厂，及英特尔（Intel）、美光（Micron）等竞争对手增产的动作频频，室町正志指出，这是一场艰苦的角力战，各厂间的竞争会日趋激烈，呈现过度竞争的态势。

NAND型闪存市场规模虽持续放大，但价格的不确定因素成为厂商获利的一大隐忧，尤其是价格每年以40％的跌幅持续下滑，厂商不易掌握获利。另外，在各大厂不间断地大手笔投资下，一旦市况走软，供过于求的阴影将再度涌现。