台DRAM厂纷跨NAND闪存　南亚科跟进

虽说目前全球NAND型闪存（闪存）市场均掌控在国际DRAM大厂，如三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）、美光（Micron）等，台系DRAM厂还无法有效深入此一领域。不过即便如此，台系DRAM厂也从未放弃，继茂德、力晶陆续采用不同方式切入NAND型闪存市场后，南亚科总经理连日昌也于15日12英寸厂动土典礼中首度松口，南亚科已开始思考以不同模式进入NAND型闪存市场，当然不排除由代工做起。

目前光是三星于全球NAND型闪存市场占有率便已达50％左右，如加上海力士及美光后，全球NAND型闪存市场约70％由国际DRAM大厂所掌控，虽然台系DRAM厂还无法有效进入此一市场，但并不代表台系DRAM厂愿意就此放弃，反倒是想尽辨法，看看有无机会切入。

日前茂德便正式对外宣布，将先行自闪存存储卡切入NAND型闪存领域，且将自行生产闪存存储卡控制IC，可看出茂德除了最上游的NAND型闪存芯片无法自行供应外，也正一步一步往NAND型闪存领域发展，此外力晶对于NAND型闪存市场一样相当积极，也藉由各种不同模式切进，首先还是自其最为擅长的代工切入。

先前瑞萨（RENESAS）将NAND型闪存代工订单交由力晶，紧接着伴随瑞萨正式对外宣布自8Gb产品后，短期内将不再投入NAND型闪存，但力晶并未因此而退缩，反倒是更积极找寻进入NAND型闪存市场机会，日前与NAND型闪存的IC设计大厂共同策略合作，进军NAND型闪存市场。

南亚科也不甘示弱，连日昌正式对外松口，未来要做的是全方位内存大厂，既然如此，便不会对NAND型闪存产品置之度外，目前南亚科已开始与各个不同的厂商接触，为的便是要进入NAND型闪存市场，至于会选择自己生产自有品牌或替人代工NAND型闪存，连日昌语带保留的表示，事实上代工并不是一件坏事，且代工应仅是一个起点。

连日昌强调，做NAND型闪存并不是一件容易的事，且愈进入此一市场才愈知道困难度更高，但最重要的是任何1家要进入此市场的业者，绝对要优先考量到专利问题，原因在于目前NAND型闪存大多数专利已被一些大厂给拿走，因此未来后进者要克服问题便是专利；再者绝对要有创意及团队，这部份也是南亚科当前积极考量及需要解决地方。