英飞凌与南亚共同量产90纳米DRAM

英飞凌(Infineon)与南亚科技(Nanya)日前宣布，其在德国英飞凌德勒斯登研究中心共同开发的DRAM 90纳米制程技术已成功通过认证。两家公司以90纳米制程技术生产之内存产品，已经获得主要客户及英特尔之验证，而90纳米制程技术也已于德勒斯登的12吋晶圆厂开始进行量产。

英飞凌在五月底前，已有5%的全球总生产量由110纳米移转至90纳米制程技术。同时在台湾，由英飞凌与南亚科技共同合资成立的华亚科技12吋晶圆厂也开始进行90纳米制程技术转换。英飞凌表示，藉由加快下一世代制程技术转换的脚步，以提升成本竞争优势及产品效能，是DRAM生产制造的获利关键。

相较于110纳米技术，90纳米制程结构更进一步缩小芯片尺寸，因此每片晶圆裁切出的芯片量可望增加30%以上。藉由尺寸缩小和12吋晶圆使用所预期增加的产量，是芯片生产成本能够大幅下降的因素。英飞凌和南亚科技的策略联盟也同时包括下一世代70纳米技术合作。

英飞凌指出，其90纳米的制程系受益于之前在110纳米时就已引进的先进193nm黄光机台设备。193nm是持续微缩制程的关键技术。在90纳米时，由于使用「棋盘式内存数组」，故能用改善之平面标准制程，即可达到优越的存贮电容，而不需使用复杂的高介电质材料。

除了成本优势外，更小的制程也是高速和低功率DDR2和DDR3 SDRAM的重要技术。英飞凌和南亚科技是第二家以90纳米技术推出的制造商。512Mb DDR2 SDRAM预期在2005年的下半年推出。其它产品包括256Mb DDR2和1G DDR2将会陆续提供。