避免重蹈DRAM覆辙 东芝调整战略在闪存上求生路

首先，请读者看一下2005年第2季度DRAM厂商与NAND型闪存EEPROM厂商的晶圆投入量（下图）。

2005年第2季度DRAM厂商与NAND型闪存EEPROM厂商的晶圆投入量（按200mm晶圆换算）

从上图可以看出这样一些信息：

• 韩国三星电子的投入量高居榜首，无论是DRAM，还是NAND型闪存EEPROM均居压倒性优势。

• DRAM和NAND型闪存EEPROM两方面的投入量均达到了一定规模的只有三星和韩国海力士半导体这两家韩国厂商。

• 与NAND型闪存EEPROM厂商相比，DRAM厂商在数量上占压倒性多数。

• 由曾席卷全球内存市场的NEC和日立制作所DRAM部门合并而成的日本尔必达内存的投入量大概只有三星的1/10。

那些直接参与内存业务的人士恐怕更能由此了解到更深一层的含义。在开展内存业务方面生产规模越大，优势也就越大。

海力士NAND型投入量直逼东芝

海力士公司的NAND型闪存EEPROM用晶圆投入量到2005年第2季度已经逼近东芝（包括与美国SanDisk公司共同运营的生产线在内）。假如海力士将投向DRAM生产线的一半投入量转向NAND型生产线的话，将轻松超过东芝。顺便提一下，从NAND型闪存EEPROM用晶圆的投入量来说，海力士已经将日本瑞萨科技远远甩在后面，进入了前3甲。

看到这种情况，恐怕会有很多读者担心会不会重蹈DRAM的覆辙。也就是说，日本厂商尽管起步较早，但市场份额却被韩国厂商利用压倒性的产能夺走了，直至最后不得不撤出该领域。也就是说又将出现上世纪90年代日本厂商在DRAM市场上辛酸的一幕。

拿东芝来说吧，多值技术、微加工技术、高速接口，无论是哪一项，都比海力士高出一筹，可以说绝对会不输给对方。但这种情景与当年的DRAM是何等的相像。上世纪90年代，在DRAM生产方面，日本厂商在技术上并不输给韩国厂商。当时，日本厂商由于在微加工方面居于优势，因此并未把韩国厂商的巨额投资放在心上，认为不足为惧。但现实的发展却并非如此。日本厂商最终在韩国厂商的巨额投资面前纷纷倒下。

如今，日本厂商在DRAM技术方面毫无疑问仍处于世界平均水平之上。但在内存业务中却没有达到很大的规模效应。内存业务要求在高级技术上处于先端位置，同时还要求在产量的竞争上也不能输。

东芝改变大笔投资的方向

东芝在2005年8月9日召开的经营方针说明会上表示将扩大投资规模。此举表明了东芝要避免重蹈DRAM覆辙的信念。《日经市场调查》为了预测半导体的产能，都会定期对业界引进曝光设备的数量进行调查。东芝2005年的导入数量约为海力士的3倍。

顺便提一下，即使与欲在DRAM市场上夺取最大份额而持续进行投资的日本尔必达内存相比，东芝的投资规模也达到了后者的2倍左右。另外，东芝准备将超过一半的资金投向生产NAND型闪存EEPROM的四日市工厂（三重县）。希望利用这项投资，将其晶圆生产能力由目前相当于海力士的1/4左右提高至近1/2。东芝的另一个特点是300mm晶圆比例高于海力士。

而海力士则必须在维持DRAM市场份额的同时，提高NAN型闪存EEPROM的产能。由于韩国国内支持300mm晶圆的生产线主要负责DRAM产品的生产，因此利用300mm晶圆生产NAND型闪存EEPROM要等到在中国建设的生产线于2006年中期开工投产之后。作为海力士来说，绝不会为了单纯地超越东芝而增加NAND型闪存EEPROM的产能。

在内存用晶圆处理能力方面，三星远远超过东芝。即便东芝积极地持续投资，2～3年内也不可能赶上去。但在规模上却有可能赶上海力士，避免重蹈DRAM的覆辙。