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Spansion自行开发的NOR闪存投产，采用230纳米

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作者：Zxm 2004年4月21日

关键字： NOR

NOR闪存解决方案供应商Spansion近日宣布，第一个完全由Spansion开发的、完整的闪存产品系列目前已经投产。该产品系列是由AMD和富士公司存储部门成功合并而取得的成果。

Spansion表示，基于MirrorBit技术的Spansion S29AL/GLxxxM产品系列的面世标志着该公司从2003年7月创建以来首次推出了一款完全由Spansion自行开发、制造和生产的完整产品线。该产品线在整个生产周期中使用了统一的制造流程。这个新的系列针对嵌入式产品市场(例如DVD播放器、可录DVD和机顶盒等消费电子产品)和工业市场(例如网络设备、工业自动化和汽车电子)进行了专门的优化。

S29AL/GLxxxM产品线利用230纳米MirrorBit技术制造，包括从16Mb到256Mb的多种产品密度，为使用浮门产品的客户提供替代方案。

Spansion介绍说，因为230纳米MirrorBit技术有效的单元设计消除了内存阵列中昂贵的管理电路，简化了制造流程，所以它所提供的成本结构等同于180纳米多级单元(MLC)和130纳米每单元单比特(single-bit-per-cell)的浮门技术。这个产品系列中密度较高的产品将会升级到第二代110纳米MirrorBit技术，从而为客户提供了更优化的产品。基于110纳米MirrorBit技术的产品预计将于今年第四季度投产。

据悉，这个新的产品系列的封装、引脚和软件都与现有的Am29LVxxxM和MBM29PLxxxM产品系列兼容。与现有产品相比，S29AL/GLxxxM提供的增强特性包括：有效文字编程时间缩短了35%；扇区擦除时间缩短了75%；采用无铅封装。

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