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海力士、SanDisk、美光:我们也有3D闪存

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三星电子率先量产了3D垂直堆叠的NAND闪存,并宣布了基于它的首款固态硬盘,而在日前的闪存峰会上,SK海力士、SanDisk、美光也不甘示弱地宣告了自己的3D闪存技术。

作者:驱动之家 来源:ZDNet存储频道 2013年8月19日

关键字: SanDisk 3D闪存 美光

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三星电子率先量产了3D垂直堆叠的NAND闪存,并宣布了基于它的首款固态硬盘,而在日前的闪存峰会上,SK海力士、SanDisk、美光也不甘示弱地宣告了自己的3D闪存技术。

还是首先看看三星的吧。

海力士、SanDisk、美光:我们也有3D闪存

现在已经能够做到24层堆叠,单颗容量128Gb(16GB),并计划2017年左右做到单颗1Tb(128GB)。

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全球首款基于3D V-NAND闪存的固态硬盘,乍一看和普通产品没啥区别。

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3D闪存达到同等容量固态硬盘所需的颗粒更少,而且性能更好(持续写入快22%/随机写入快20%)、功耗更低(平均功耗低27%/峰值功耗低45%)。

SK海力士在现场摆放了一块300毫米的闪存晶圆,正是使用3D堆叠技术制造的,单颗芯片容量和三星一样也是128Gb(16GB),属于MLC NAND类型。

海力士预计2014年第一季度将其投入商用。

海力士、SanDisk、美光:我们也有3D闪存
海力士的3D闪存晶圆

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2D、3D NAND闪存结构对比

SanDisk则是与东芝一起开发3D NAND,还起了个自己的名字“BiCS”,不过得到2015年下半年才会投入试产,看起来起步比较晚。

SanDisk表示,届时会使用1z nm工艺

——闪存行业一般不明确标识具体的制造工艺(至少初期)都很模糊,而是使用1x、1y、1z nm等标识方法,越往后越先进,比如1x目前基本代表19nm,1y应该在15nm左右,1z则会非常接近10nm。

海力士、SanDisk、美光:我们也有3D闪存
SanDisk NAND闪存工艺、技术路线图:2013年底到2014年初投产1y nm,2014年底到2015年初投产1z nm,2015年下半年才有3D闪存

海力士、SanDisk、美光:我们也有3D闪存
3D比较落后,SanDisk就把介绍重点放在了2D闪存上

海力士、SanDisk、美光:我们也有3D闪存
3D闪存上,SanDisk要落后整整一个时代

一直在闪存行业处于领先地位的美光怎么能少了呢?但是对于3D闪存此番介绍得同样很模糊,只说会在合适的时候介绍给大家。

根据规划,美光即将量产16nm闪存工艺,接下来就会推出3D闪存,容量达256Gb(32GB),而且还是和Intel合作的。

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