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HDS推300TB HAF闪存 进一步充实VSP虚拟存储

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HDS日前公布了一款名为HAF的闪存盘,该产品专为虚拟存储平台(简称VSP)阵列设计,配备HDS自主研发的闪存控制器。HDS基础设施平台产品管理部门副总裁Roberto Basilio声称,所用芯片给MLC闪存带来更理想的耐用性,同时使产品的性能表现(尤其是处理速度)愈发趋近SLC闪存。

作者:ZDNet 来源:ZDNet存储频道 2012年11月8日

关键字: 云存储 虚拟存储 VSP 非易失性内存 HDS

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HDS日前公布了一款名为HAF的闪存盘,该产品专为虚拟存储平台(简称VSP)阵列设计,配备HDS自主研发的闪存控制器。

HAF(Hitachi Accelerated Flash)采用非易失性内存及2-bits-per-cell设计。此次HDS推出的控制器是一个管理内存模片的多核芯片,而不是固态盘驱动器。

HDS基础设施平台产品管理部门副总裁Roberto Basilio声称,所用芯片给MLC闪存带来更理想的耐用性,同时使产品的性能表现(尤其是处理速度)愈发趋近SLC闪存。“在如今的市场上,这款产品在企业级MLC闪存方案中带来了最具竞争力的每字位存储成本。”

此次推出的闪存盘容量在6.4TB到76.8TB之间,一台8U机架中最多能够容纳四套存储盘,相当于为VSP带来了307.28TB容量且读写速率有所提升的方案。由于兼容VSP的动态分层功能,因此频繁访问的数据会自动被转移到闪存盘中、冷数据则被保存在VSP磁盘处。

此外,这款阵列仍然支持其它前代产品所固有的功能,例如外部虚拟化等。控制器还支持inline压缩。根据HDS副总裁Hu Yoshida的说法,这将“减少了在闪存内存上的物理写入次数达94%”。

HDS推300TB HAF闪存 进一步充实VSP虚拟存储

HDS HAF

HDS宣称,与400GB MLC固态硬盘相比,这款闪存盘的硬件性能高出4倍、功耗更低、物理空间需求更小、单位字位的存储成本更低。此外,我们还了解到,它的阵列控制器将HAF作为存储层加以处理,因此用户在必要时也可以将固态硬盘部署在阵列中的标准驱动器机架当中。

根据HDS的说明,配置这个闪存盘的VSP阵列将实现80万IOPS的性能,同时HAF内存寿命也能达到十年之久。

Basilio建议称,新的闪存模块适合在线交易数据库、企业资源规划软件、财务数据、元数据以及应用索引等环境。他的言下之意在于:“有了HAF,用户不必费心为自己的VSP阵列选择Violin Memory、Pure Storage或者其它厂商提供的全闪存式阵列方案。”

HDS同时围绕自身闪存策略做出一系列其它公告,声称其将横跨“服务器、存储及其它设备,实现计算加速、缓存及高性能存储媒体等使用实例。”

HAF在VSP体系中只作为闪存层而非缓存,日立公司同时暗示该方案在性能表现将胜过固态盘、MLC甚至SLC等常见存储阵列模式,这也等于是向EMC的VMAX产品发出挑衅。但实际情况是否真能与HDS的宣传相吻合,还需要时间来证明。

我们不妨将这套方案理解成引入了闪存层的Violin Memory硬盘阵列。由此推论,HDS很可能在未来将这套闪存模块从VSP中独立出来,直接打造成新的网络化全闪存阵列。届时HDS将有能力在8U机架中部署这套新产品,并通过加装操作系统软件将其转化为网络化存储资源(与VSP OS Lite的作用类似)。

目前我们还不清楚HAF产品的具体售价,但Yoshida告诉我们该方案“价格绝不会超过目前高性能SAS硬盘驱动器的4倍”,而且无疑要比Violin的产品套装更便宜。

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