Intel美光首家试产25nm工艺3bpc闪存

Intel和美光公司今天共同宣布，已经成功应用25nm工艺，试产出3bpc（3-bit-per-cell）闪存。继今年上半年开始量产25nm MLC闪存后，Intel美光的低端闪存产品线再一次领先行业制程标准。

3bpc闪存又称TLC闪存，相比SLC每个存储单元只能保存1bit数据，MLC闪存保存2bit数据，3bpc/TLC闪存的每个存储单元（Cell）可保存3bit数据。即使用更少的存储单元实现更大容量，主要面向闪存盘、存储卡或其他消费电子设备。

新的25nm 3bpc闪存由Intel美光合资公司IM Flash Technologies研发，容量为64Gb，即可用一颗闪存颗粒制造8GB容量U盘、存储卡。相比25nm MLC闪存，相同容量的3bpc闪存尺寸缩小20%，成本更加低廉。其核心面积仅为131平方毫米，采用业界标准TSOP封装。

Intel/美光25nm 3bpc闪存将于今年年底实现量产。由于性能和寿命不及MLC/SLC，3bpc闪存通常不会用于固态硬盘。但SandForce控制器方案的特殊长寿命技术已经宣称可以使用3bpc/TLC闪存，未来如果出现SF-1000系列控制器加Intel/美光25nm 3bpc闪存配置的固态硬盘产品，将有望进一步降低SSD价格水平。