另类固态硬盘：单通道读写性能创纪录

现在固态硬盘的速度越来越快，不过它们往往都是依靠多通道合力完成的，而加拿大渥太华厂商MOSAID近日推出了一款新的固态硬盘产品原型，在单通道读写性能方面创造了一个新纪录。

这种固态硬盘原型基于MOSAID、Indilinx(Barefoot控制器开发商)合作开发的创新型闪存架构和界面“HyperLink NAND”(HLNAND)，单通道读取性能213MB/s、写入性能130MB/s。相比之下，目前的第二代固态硬盘需要八个或更多通道才能达到这种水平。

HLNAND固态硬盘原型采用3.5寸规格外形，功能完整，接口SATA 3Gbps，集成了Indilinx提供的FPGA主控制器、PCB主板，MOSAID提供的HLNAND闪存芯片，由两个64GB HLDIMM模块组成单独一个通道，每个模块又包括八颗多芯片封装(MCP)的闪存芯片。受原型设计限制，HyperLink通道时钟频率从133MHz降低到了75MHz。

MOSAID表示，今后的量产零售版本将会使用FPGA或者ASIC控制器、八个通道、133MHz全速通道频率，读取和写入性能将超过1TB/s。

MOSAID表示，HLNAND固态硬盘主要面向追求高性能、大容量存储的领域，比如桌面工作站、计算和企业环境、轻型编写设备、游戏设备、外置硬盘等等。

MOSAID已经开始向半导体供应商、封装和模块供应商、产品制造商、系统集成商提供64Gb HLNAND NAND闪存芯片、64GB HLDIMM模块的制造授权，其工程师团队也同时提供全力支持。