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Intel/美光25nm工艺晶圆厂一日游

上周末，Intel、美光合资闪存制造企业IM Flash Technologies, LLC(IMFT)宣布已经开始试制25bn工艺NAND闪存芯片。除了纸面宣布外，他们实际上还邀请了多家媒体到IMFT位于美国犹他州Lehi的25nm工艺晶圆厂进行参观。

作者：Skyangeles 来源：驱动之家 2010年2月4日

300mm晶圆

每片闪存颗粒die容量为8GB（每格2GB），面积167平方毫米。

Intel副总裁，NAND闪存业务总经理Tom Rampone手持25nm颗粒

尺寸对比

从左到右分别是：

2003年130nm工艺128MB，2005年90nm工艺512MB，2007年50nm工艺1GB，2009年34nm工艺4GB以及现在的25nm工艺8GB闪存。最右侧是标准的TSOP闪存封装尺寸。

使用25nm工艺闪存，只需要单die芯片即可造出Class 10级SD卡。Intel计划，今年将基于该闪存造出最大600GB的固态硬盘，而美光甚至计划最大推出1TB SSD。

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