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化学机械抛光（CMP）车间
照明受限的光刻车间
一块光刻掩膜，光刻过程简单的说就是将这块掩膜上图案“缩印”到晶圆上。
光刻过程中的“校准”
实时缺陷监测（RDA）
FOUP片盒中的300mm晶圆
PCper记者手持一片25nm工艺300mm晶圆，总容量超过2TB。
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