东芝固态硬盘双线升级 率先进军32nm工艺

东芝今天宣布了两个新系列的固态硬盘产品，在业内率先采用了32nm新工艺(去年第三季度开始量产)，相比现在使用的43nm和Intel X25-M的34nm系列更进一步。当然，这里说的都是NAND闪存制造工艺，和Intel Clarkdale/Arrandale处理器上的不是一回事儿。

首先是第二代“SG2”，采用mini-SATA迷你接口，相比于传统的1.8寸/2.5寸规格体积更小、成本更低，比如这次推出的128GB型号体积只有2.5寸固态硬盘的七分之一，高度也只有八分之一。性能方面，SG2最大持续读取速度180MB/s，最大持续写入速度70MB/s，主要面向上网本。

然后是第三代“HG3”，外形规格和容量均有多种形式：9.5毫米/2.5寸的64/128/256/512GB，7.0毫米/2.5寸的128/256GB，1.8寸或者无外壳LIF模块的64/128/256GB。性能方面读写速度分别可达250MB/s和180MB/s，并支持AES数据加密技术。

特别值得一提的是，SG2、HG3都直接支持Windows 7 TRIM指令，可优化固态硬盘的长期使用性能。

东芝计划今年第二季度开始试产这两个新系列固态硬盘，主要提供给OEM厂商，返校季期间就会出现在各种台式机、笔记本、上网本产品上。