磁盘式存储十年风光：闪存盘前景不乐观

　　相变内存技术(phase change random access memory (PCRAM)):

　　据文章的作者解释，PCRAM相变内存技术基于相变化材料的相变属性。对这种材料适当加热后，相变化材料的形态将在结晶和非结晶两种相上发生变化，从而衍生出不同的电阻值，这样便可以用于记录“1”“0”两种数值。这种技术的存储单元体积小，每个存储单元能存储多位数据，因此存储密度以及容量成本方面均比磁盘式硬盘优越，不过这种技术的劣势在于功耗较大。目前，Intel与Microelectronics的合资公司Numonyx已经将基于这种技术的产品推向了市场，因此在实际应用方面相变内存技术比STTRAM技术要优越许多。

　　 　　自旋极化内存技术(spin transfer torque random access memory (STTRAM)).

　　而STTRAM技术则基于电子自旋理论，利用改变自旋偏振电流的方法改变磁场方向，以此达到记录数据的目地。STTRAM技术在省电性能方面比PCRAM相变内存技术更为优越，不过目前这种技术每个存储单元只能储存单个bit，如果能够突破这种限制的话，那么预计未来十年内很有可能成为磁盘式硬盘技术的有力竞争对手。

　　文中还指出:“令人惊奇的是，我们的研究表明，即便到2020年，磁盘式硬盘仍将是每TB价格最低的一种存储解决方案。另外，我们还发现业界投资最多的技术项目未必是发展潜力最大的技术，相反，这些技术公司只会在自己最擅长的技术上进行大量投资。”